近日，第十二届中国知识产权年会在山东济南开幕。中国国家知识产权局局长申长雨在本届大会致辞中表示，中国将加强知识产权保护国际合作，深度参与知识产权全球治理，持续深化多边、周边、小多边、双边“四边联动、协调推进”的知识产权国际合作新格局，以知识产权合作促进科技文化交流。
中国知识产权年会创办于2010年，是我国知识产权领域规模最大、影响最广、参与人数最多的年度盛会。天岳先进董事长宗艳民作为开幕式主旨演讲嘉宾参加本次大会，并在开幕式上发表题为“自主创新推动关键材料国产化，知识产权护航广阔蓝海市场”的主旨演讲。
宗艳民先生结合天岳先进发展历程中的技术创新和知识产权保护，阐述了坚持自主创新研发、重视知识产权布局的重要性，并介绍了碳化硅衬底材料在“新基建”、“双碳目标”以及推动数字经济背景下的广阔应用。
宗艳民表示，天岳先进将坚定不移的贯彻知识产权战略，努力将知识产权打造成公司核心竞争力之一，未来，中国制造的碳化硅半导体材料，将继续走出国门，影响世界，成为“中国制造”在国际市场的一张亮丽名片。
据悉，天岳先进是国内碳化硅半导体材料龙头企业，是少数几家在国际上具有知名度的碳化硅衬底制造企业，是国际碳化硅衬底领域第一梯队。
近年来，天岳先进始终坚持自主创新，重视专利布局，持续提升技术竞争力。天岳先进自主攻克了碳化硅晶体生长、衬底加工等一系列国际难题，掌握碳化硅衬底材料产业化核心关键技术，获得国家科技进步一等奖，是国家工信部单项冠军示范企业和“专精特新”小巨人企业。
截至目前，天岳先进已在碳化硅衬底领域取得国内专利494项，率先填补了我国在碳化硅衬底领域的知识产权空白，在碳化硅领域知识产权数量位列全国首位。同时，专利布局涵盖碳化硅制备的全工艺环节，其中海外专利13项。公司知识产权规模位列世界前五。
公开资料显示，天岳先进通过持续不断的技术积累，已经掌握了世界最大尺寸8英寸碳化硅衬底的制备技术。该公司在前瞻性技术上加大布局，2023 Semicon论坛上，天岳先进首席技术官高超博士报告了公司核心技术及前瞻性研发情况，通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体，属于业内首创，也代表了天岳先进领先的技术实力。通过十几年自主创新，自主扩径，公司实现从2英寸衬底到8英寸衬底的量产，而且是国际上少数在半绝缘碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底领域同时具有知名度。
引人关注的是，在领先技术加持下，天岳先进导电型衬底大规模产能建设步伐突飞猛进。2023年5月上海临港工厂迎来首批产品交付。在半导体领域，短短一年时间，天岳先进的导电型碳化硅衬底产能已经大规模量产并仍在加快提升产能，也得益于此公司已经成为少数产品能够大规模“出海”的企业。
根据公司报道，9月19日，国家知识产权局党组书记、局长申长雨、副局长胡文辉一行到山东天岳先进科技股份有限公司调研，山东省副省长王桂英、济南市副市长杨丽等陪同调研。
在了解天岳先进在自主创新、科研创新成果转化、知识产权布局以及专利与技术标准融合等方面的成果，国家知识产权局局长申长雨对天岳先进在科技创新和知识产权综合运用等方面取得的成绩给予充分肯定。天岳先进表示，公司将继续通过高强度研发投入和知识产权布局，引领碳化硅半导体材料发展。
在“碳达峰、碳中和”的大背景下，近年来绿色电力、储能、电动汽车等新能源行业迅猛发展，以及电气化和能源的高效利用，正在推动以碳化硅为代表的第三代半导体行业快速发展。
碳化硅半导体材料及技术在下游电动汽车、绿色电力以及微波通讯等领域需求的推动下，行业正迎来爆发期。
