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美迪凯:晶圆背部减薄及切割工艺实现高标准外观要求

美迪凯3月27日在互动平台表示,公司晶圆背部减薄及切割工艺,实现12英寸晶圆TTV <2.5μm、切割后崩边<10μm及芯片表面的高标准外观要求。

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美迪凯:晶圆背部减薄及切割工艺实现高标准外观要求

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