武陵观察网 问答 电脑内存占用高怎么办(旧电脑内存严重不足如何解决)

电脑内存占用高怎么办(旧电脑内存严重不足如何解决)

旧电脑内存怎么升级?电脑用久了,运行速度自然会变慢。电脑运行太慢的时候,可以考虑升级电脑内存。下面,我们来看看用边肖升级旧电脑内存的教程。

升级旧计算机内存的教程

内存也称主存储器,是CPU可以直接寻址的存储空间,由半导体器件构成。内存的特点是存取速度快。内存是计算机的主要组成部分,是相对于外存储器而言的。内存是临时存储程序和数据的地方。比如我们用WPS处理稿件的时候,你在键盘上打字符的时候,它会存储在内存里。当您选择保存时,内存中的数据将被存储在硬(磁)盘上。

1.确定升级方案:我的电脑在操作过程中反应明显变慢,根据以往的经验确定是内存太小造成的,因为这台电脑的内存目前只有2*256=512MB。因此,重要的解决方法是升级内存。考虑到升级成本和内存插槽数量,计划将一个256MB内存更换为1GB。升级后的内存大小为10240MB 256MB=10496MB,约为1.25GB,已经满足实际需求。

2.打开机箱,查看主板的详细信息。主板上一般会有详细的型号。根据这种类型,你可以在相关网站上找到主板对应的一系列参数信息。比如笔者拿到的主板型号是MS-6555。

3.根据这块主板的型号参数,我们在网上搜索相关官网,可以找到一块关于这块主板的系统参数,其中最重要的参数有:

内存类型:DDR

最大扩展内存:2GB

内存插槽数量:2*DDR DIMM

传输标准:PC1600/PC2100。

4.细化参数的概念。(1)内存类型为“DDR”。(2)传输标准PC1600/PC2100,其实就是DDR200/DDR266。(3)最大扩展内存:2GB。所以从最经济实用的角度出发,可以选择购买一个内存类型为“DDR266”、容量为1GB的内存作为替代。

5.按照这个要求在网上购买相关的硬件产品。你买回来之后,需要再次确认一下所购买的硬件产品的参数是否符合要求。如果确认无误,请打开包装。这个时候一定要小心!先用手触摸机箱,消除人体静电,然后用手轻轻取出内存条,适度插入主板上的任意插槽,确保内存条两侧的卡扣将内存条夹紧。

6.完成后就可以安装在内部主板上开始调试了。如果一切正常,进入桌面后,右键单击“我的电脑”,在属性窗口中查看内存的已实现容量,以确定内存是否已正确升级。

需要注意的事项

1.由于硬件存在漏洞,升级前请确保被更换的硬件和被更换的硬件属于同一类型。

2.用手拿记忆棒之前,一定要先消除身上的静电,防止静电击穿记忆棒上的电路器件。

关于内存模块内存模块是CPU可以通过总线寻址并执行读写操作的计算机组件。内存在个人电脑的历史上曾经是主内存的延伸。随着计算机软硬件技术要求的不断更新,记忆棒已经成为读写存储器的全部。一般来说,计算机内存(RAM)的大小是指内存芯片的总容量。

内存是计算机不可缺少的一部分,CPU可以通过数据总线对内存进行寻址。历史上电脑主板上都有主存,内存条是主存的扩展。以后电脑主板没有主存,CPU完全靠内存条。外部存储器中的所有内容都必须通过内部存储器才能发挥作用。

关于记忆棒

内存是CPU可以通过总线寻址和读写的计算机组件。内存在个人电脑的历史上曾经是主内存的延伸。随着计算机软硬件技术要求的不断更新,记忆棒已经成为读写存储器的全部。一般来说,计算机内存(RAM)的大小是指内存芯片的总容量。

内存是计算机不可缺少的一部分,CPU可以通过数据总线对内存进行寻址。历史上电脑主板上都有主存,内存条是主存的扩展。以后电脑主板没有主存,CPU完全靠内存条。外部存储器中的所有内容都必须通过内部存储器才能发挥作用。

显色法

出生

一开始电脑用的内存是一块IC,我们要把它们焊在主板上才能正常使用。一旦某个内存IC坏了,就要焊下来更换,太费力了。后来,计算机设计师发明了模块化条带存储器,每个条带集成了多个存储器IC。相应的,主板上设计了内存条,可以随意拆卸内存条。从此以后,内存的维护和扩展变得非常方便。

发展

内存的状态一直使用到286年初。由于它的缺点是不能拆卸和更换,这给计算机的发展造成了真正的障碍。鉴于此,内存芯片应运而生。内存芯片焊接在预先设计好的印刷电路板上,内存插槽也用在电脑主板上。这样就彻底解决了内存难以安装和更换的问题。

在80286主板发布之前,内存并不被世人重视。此时内存直接固化在主板上,容量只有64 ~256KB。对于当时PC机运行的工作程序来说,这个内存的性能和容量足以满足当时软件程序的处理需求。但是随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现,程序和硬件对内存性能提出了更高的要求。为了提高速度和扩展容量,存储器必须以独立的封装形式出现,于是“记忆棒”的概念诞生了。

当80286主板首次推出时,内存模块采用SIMM(单列直插式内存模块)接口,容量为30针和256kb。它必须是由8个数据位和1个校验位组成的存储体。正因如此,我们看到的30针SIMM一般都是一起用的。自1982年PC机进入民用市场以来,30针80286处理器的SIMM存储器是存储器领域的鼻祖。

随后,1988-1990年,PC技术迎来了又一个发展高峰,也就是386和486时代。此时CPU已经发展到16位,30针的SIMM内存已经不能满足需求,其内存带宽低成为亟待解决的瓶颈。于是这个时候72针SIMM内存出现了,72针SIMM支持32位快速页模式内存,内存带宽大幅提升。72pin的SIMM存储器单个容量一般是512KB ~2MB,同时使用只需要两个。因为与30pin SIMM内存不兼容,PC行业在此时毅然淘汰了30pin SIMM内存。

EDO DRAM(扩展日期输出RAM,

外部扩展数据模式存储器(EDOM)是从1991年到1995年流行的存储器组。EDO-RAM非常类似于FP DRAM。它取消了扩展数据输出内存和传输内存的时间间隔,在向CPU发送数据的同时访问下一页,因此速度比普通DRAM快15~30%。工作电压一般5V,带宽32bit,速度40ns以上。主要用于486和早期的奔腾电脑。

从1991年到1995年,我们看到了一个尴尬的局面,就是这几年内存技术发展缓慢,几乎停滞不前,所以这个时候我们看到了江户RAM 72 pin和168 pin并存。其实EDO内存也属于72pin SIMM内存的范畴,只是它采用了新的寻址方式。江户在成本和产能上有所突破。随着制造技术的飞速发展,单个EDO存储器的容量已经达到4 ~ 16 MB。因为奔腾和更高的CPU的数据总线宽度是64位甚至更高,所以EDO RAM和FPM RAM必须成对使用。

SDRAM时代

自英特尔赛扬系列、AMD K6处理器以及相关主板芯片组推出以来,EDO DRAM的内存性能已经不能满足需求,必须对内存技术进行彻底改革,以满足新一代CPU架构的需求。这时,内存开始进入更经典的SDRAM时代。

第一代SDRAM内存是PC66规格,但很快由于Intel和AMD的频率之争,CPU外接频率提升到100MHz,于是PC66内存很快被PC100内存取代。然后,随着133MHz外频的PIII和K7时代的到来,PC133规范以同样的方式进一步提高了SDRAM的整体性能,带宽提高到1GB/秒以上。由于SDRAM的带宽是64位,正好是CPU 64位数据总线的宽度,所以只需要一个内存就可以工作,方便性进一步提高。在性能上,由于其输入输出信号与系统外部频率同步,速度明显超过了江户存储器。

不可否认,SDRAM内存从早期的66MHz发展到后来的100MHz和133MHz。虽然内存带宽上的瓶颈问题还没有完全解决,但是此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题,于是很多用户将品牌PC100内存超频到133MHz,实现CPU超频成功。值得一提的是,市场上已经出现了一些PC150和PC166规格,以方便超频用户的需求。

虽然SDRAM PC133内存的带宽可以提升到1064MB/S,而且Intel已经启动了最新的奔腾4计划,但是SDRAM PC133内存并不能满足未来的发展需求。此时,为了达到垄断市场的目的,英特尔和Rambus在PC市场联合推广Rambus DRAM内存(称为RDRAM内存)。与SDRAM不同的是,它采用了新一代高速简单存储器架构。该理论基于精简指令集计算(RISC)理论,可以降低数据的复杂度,提高整个系统的性能。

在AMD和Intel的竞争中,这个时候属于频率竞争的时代,所以这个时候CPU的主频在不断提升。为了超越AMD,英特尔推出了高频率的奔腾III和奔腾4处理器,因此Rambus DRAM内存被英特尔视为未来自己的竞争杀手锏。Rambus DRAM内存在高时钟频率的情况下简化了每个时钟周期的数据量,所以内存带宽相当出色。比如PC 1066 1066 MHz 32位的带宽可以达到4.2千兆字节/秒,Rambus DRAM一度被认为是奔腾4的绝配。

尽管如此,Rambus RDRAM还是生不逢时,后来还是要被更高速的DDR“掠夺”。当时PC600和PC700的Rambus RDRAM因为Intel820芯片组的“错误事件”和PC800 Rambus RDRAM的高成本,使得奔腾4平台高。Rambus RDRAM由于各种问题胎死腹中。Rambus曾希望主频更高的PC1066能标准化RDRAM来力挽狂澜,但最终还是倒在了DDR内存面前。

DDR时代

DDR SDRAM(双数据速率SDRAM)缩写为DDR,

意思是“双倍速率SDRAM”。DDR可以说是SDRAM的升级版。DDR在时钟信号的上升沿和下降沿各传输一次数据,使得DDR的数据传输速度是传统SDRAM的两倍。因为只使用下降沿信号,所以能耗不会增加。至于寻址和控制信号,和传统的SDRAM一样,只在时钟的上升沿传输。

DDR内存是性能和成本的折中方案。其目的是快速建立稳固的市场空间,然后在频率上一步步大踏步前进,最终弥补内存带宽的不足。第一代DDR200规范还没有普及。第二代PC266 DDR SRAM(133MHz时钟 2倍数据传输=266MHz带宽)源自PC133 SDRAM内存,将DDR内存带入第一个高潮。此外,许多赛扬和AMD K7处理器正在使用DDR266规格的内存。后来DDR333内存也属于过渡,而DDR400内存成为主流平台选择。双通道DDR400内存成为800FSB处理器的基本标配,后续的DDR533规格成为超频用户的选择。

DDR2时代

DDR2(双倍数据速率2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)开发的新一代存储器技术标准。DDR2与上一代内存技术标准最大的区别在于,虽然在时钟上升/下降延迟的同时采用了数据传输的基本方式,但DDR 2内存的预读能力是上一代DDR内存的两倍(即4-4bit数据读取和预取)。换句话说,DDR2存储器可以以4倍于外部总线的速度读/写数据,并以4倍于内部控制总线的速度运行。

此外,由于DDR2标准规定DDR2存储器全部在FBGA封装,与目前广泛使用的TSOP/TSOP-II封装不同,FBGA封装可以提供更好的电气性能和散热,为DDR2存储器的稳定工作和未来的频率发展提供坚实的基础。回顾DDR的发展历程,从第一代DDR200通过DDR266、DDR333应用于个人电脑,到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展已经到了技术极限,常规的方法很难提高内存的工作速度。随着英特尔最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求越来越高,拥有更高、更稳定工作频率的DDR2内存将是大势所趋。

随着CPU性能的不断提升,我们对内存性能的要求也在逐步升级。不可否认,只靠高频增加带宽的DDR迟早会不堪重负。所以JEDEC组织酝酿DDR2标准很久了,LGA775接口的915/925,最新的945等新平台都开始支持DDR2内存,所以DDR2内存今天就要开始浪漫内存领域了。

DDR2可以在100MHz的传输频率基础上提供至少400 MB/s/pin的带宽,其接口将运行在1.8V,从而进一步减少发热,提高频率。此外,DDR2将纳入新的性能指标和中断指令,如CAS、OCD和ODT,以提高内存带宽的利用率。从JEDEC组织者制定的DDR2标准来看,用于PC和其他市场的DDR2存储器将有不同的时钟频率,如400、533和667MHz。高端DDR2内存将有800 MHz和1000MHz两种频率。DDR-II内存将在FBGA采用200针、220针和240针封装。起初,DDR2存储器将采用0.13微米制造工艺,存储颗粒的电压为1.8V,容量密度为512MB。

2005年的内存技术将毫无悬念,以SDRAM为代表的静态内存不会在5年内普及。QBM和RDRAM内存也很难恢复,所以DDR和DDR2共存的时代将是铁一般的事实。

除了PC-133,VCM(虚拟通道存储器)也是PC-100非常重要的继任者。VCM(虚拟通道内存)也是大多数新型芯片组支持的内存标准。VCM内存主要是根据NEC开发的一种“缓存DRAM”技术制造的,该技术集成了“通道缓存”,并由高速寄存器进行配置和控制。VCM在实现高速数据传输的同时,也保持了与传统SDRAM的高兼容性,所以VCM存储器通常被称为VCM SDRAM。VCM和SDRAM的区别在于,CPU处理与否的数据可以先交给VCM处理,而普通SDRAM只能处理CPU处理的数据,所以VCM处理数据的速度比SDRAM快20%以上。有很多芯片组可以支持VCM SDRAM,包括英特尔的815E和威盛的694X。

RDRAM

Intel推出后:PC-100由于技术的发展,PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求,而PC-133的带宽并没有太大的提升(1064MB/s),同样不能满足未来的发展需求。为了垄断市场,英特尔和Rambus公司在PC市场联合推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM),如图4-3所示。

Rambus DRAM是Rambus公司最先提出的内存规范。它采用新一代高速简单的内存架构,可以降低数据的复杂度,提高整个系统的性能。Rambus采用400MHz的16位总线,在一个时钟周期内上升沿和下降沿都可以传输数据,所以其实际速度为400MHz2=800MHz,理论带宽为(16bit2400MHz/8)1.6GB/s,相当于PC-100的两倍。此外,Rambus还可以存储9位字节,多出来的位是保留位,将来可能会用作ECC(错误检查和纠正)校验位。Rambus的时钟可高达400MHz,仅用30根铜线连接内存控制器和RIMM (Rambus直插式内存模块)。减少铜线的长度和数量可以减少数据传输中的电磁干扰,从而快速提高存储器的工作频率。但是在高频下,它散发的热量肯定会增加,所以第一个Rambus内存甚至需要自带散热风扇。

DDR3时代

与DDR2相比,DDR3的工作电压更低,在DDR2从1.8V降至1.5V,因此性能更好,更省电。DDR2的4位预读升级到8位预读。DDR3的最高速度是2400Mhz。由于最快的DDR2内存速度已经提高到800Mhz/1066Mhz,第一批DDR3内存模块将从1333Mhz跃升。在Computex上,我们看到几家内存制造商展出了1333Mhz的DDR3模块。

基于DDR2的DDR3新设计;

1.8位预取设计,而DDR2是4位预取,这样DRAM核心的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

2.采用点对点拓扑结构,以减轻地址/命令和控制总线的负担。

3.采用100nm以下的生产工艺,工作电压由1.8V降至1.5V,增加了异步复位和ZQ校准功能。

DDR4时代

DDR4内存将有两种规格。其中,采用单端信令信号的DDR4存储器的传输速率已经确定为1.6~3.2Gbps,而基于差分信令技术的DDR4存储器的传输速率将达到6.4Gbps,由于通过一个DRAM实现两个接口基本不可能,因此DDR4存储器将会出现基于传统se信号和差分信号两种产品。

根据几位半导体行业相关人士的介绍,DDR4存储器将会是单端信号(传统SE信号)和差分信号(差分信号技术)。预计这两个标准会推出不同的芯片产品,所以我们会在DDR4内存时代看到两种不兼容的内存产品。

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电脑内存占用高怎么办(旧电脑内存严重不足如何解决)

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